加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

成膜装置和使用该成膜装置的基板的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200980152358.3
  • IPC分类号:C23C14/54
  • 申请日期:
    2009-12-24
  • 申请人:
    佳能安内华股份有限公司
著录项信息
专利名称成膜装置和使用该成膜装置的基板的制造方法
申请号CN200980152358.3申请日期2009-12-24
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-11-30公开/公告号CN102264942A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/54IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;5;4查看分类表>
申请人佳能安内华股份有限公司申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人佳能安内华股份有限公司当前权利人佳能安内华股份有限公司
发明人松村康晴
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)代理人刘新宇;张会华
摘要
本发明提供一种成膜装置和使用该成膜装置的基板的制造方法。在通过供给气体而对在真空腔室(7)内连续地进行输送的基板(1)进行成膜的成膜装置中,能够在两处成膜区域(14a、14b)中同时以均匀的流动容易地供给气体,从而能够高效率地进行均匀性高的膜质的成膜。成膜装置(C)的结构如下:真空腔室(7)中被隔板(8)分隔成含有上述基板(1)的输送路径的成膜室(9a)、与排气装置(18)相连接的排气室(9b),在上述成膜室(9a)中,在隔着基板(1)的输送路径而与隔板(8)相反的一侧的前后方向中央部设有气体供给部(10),并且在该气体供给部(10)的前后分别设有前部以及后部溅射阴极(12a、12b),在上述隔板(8)上的比上述前部溅射阴极(12a)靠前方的位置、比上述后部溅射阴极(12b)靠后方的位置分别设有前部排气口以及后部排气口。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供