一种半导体光电倍增器件

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201620870780.X
IPC分类号：H01L31/107;H01L27/06
申请日期：
2016-08-12
申请人：
武汉京邦科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种半导体光电倍增器件
申请号	CN201620870780.X	申请日期	2016-08-12
法律状态	暂无	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/107 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/102 仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕 H01L31/107 以雪崩模式工作的势垒，如雪崩光二极管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;7;;;H;0;1;L;2;7;/;0;6查看分类表>
申请人	武汉京邦科技有限公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道58号红桃K电商办公室第二层189号（Y）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉京邦科技有限公司	当前权利人	武汉京邦科技有限公司
发明人	徐青;杨健;王麟;李开富
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型公开了一种半导体光电倍增器件，包括多个阵列式并联分布的探测单元，所述探测单元由工作在盖革模式下的雪崩光电二极管、淬灭电阻和透明电容构成；所述透明电容由两个透明导电极板以及位于透明导电极板之间的透明介质组成；所述透明电容位于雪崩光电二极管光敏面的正上方。本实用新型通过设置透明电容的方式来降低探测单元以及器件的整体电容，从而改善半导体光电倍增器的时间特性，这不仅可以提高半导体光电倍增器光电信号的转换速度，也可以提高基于半导体光电倍增器的应用系统的符合时间分辨率。透明电容保证了较高的光透过率，位于探测单元光敏面正上方的透明电容并没有使半导体光电探测器损失额外的探测面积，这保证了半导体光电倍增器较高的探测效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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