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具有SDRAM接口的DRAM、混合闪存存储器模块

发明专利有效专利

申请号：
CN201380069806.X
IPC分类号：G06F12/06;G06F12/00;G11C5/00
申请日期：
2013-03-27
申请人：
株式会社日立制作所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有SDRAM接口的DRAM、混合闪存存储器模块
申请号	CN201380069806.X	申请日期	2013-03-27
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2015-11-04	公开/公告号	CN105027092A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F12/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F12/00 安装在筛选装置之上的在存储器系统或体系结构内的存取、寻址或分配（来自记录载体的数字输入，或者到记录载体上去的数字输出，例如到磁盘存储单元，G06F 3/06）〔4，5〕 G06F12/02 寻址或地址分配；地址的重新分配（程序地址排序入G06F9/00；在数字存储器中选择地址的设计入G11C8/00）〔4，2006.01〕 G06F12/06 物理存储块定位的寻址，例如，基地址寻址、模块寻址、专用存储区寻址（G06F 12/08优先）〔4〕	IPC分类号	G;0;6;F;1;2;/;0;6;;;G;0;6;F;1;2;/;0;0;;;G;1;1;C;5;/;0;0查看分类表>
申请人	株式会社日立制作所	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社日立制作所	当前权利人	株式会社日立制作所
发明人	植松裕;村冈谕;大坂英树;柴田正文;福村裕佑;渡边聪;柿田宏;出居昭男;上野仁;尾野孝之;宫川贵志;内藤伦典;隅仓大志;福田裕一
代理机构	北京银龙知识产权代理有限公司	代理人	曾贤伟;范胜杰

摘要

在将作为高速存储器的DRAM和作为比DRAM低速但却是能够大容量化的非易失性存储器的闪存搭载于DIMM时，为了使CPU存储器总线处理量最大化，而部件配置就会成为问题。因此，本公开的存储器模块(DIMM)将存储器控制器配置于靠近插口端子一侧，将作为高速存储器的DRAM配置于其背面。将作为大容量存储器的闪存配置于远离插口端子的一侧。

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