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一种高亮度LED芯片及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201710672725.9
  • IPC分类号:H01L33/00;H01L21/027;G03F7/00
  • 申请日期:
    2017-08-08
  • 申请人:
    湘能华磊光电股份有限公司
著录项信息
专利名称一种高亮度LED芯片及其制备方法
申请号CN201710672725.9申请日期2017-08-08
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2017-12-15公开/公告号CN107482089A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;G;0;3;F;7;/;0;0查看分类表>
申请人湘能华磊光电股份有限公司申请人地址
湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湘能华磊光电股份有限公司当前权利人湘能华磊光电股份有限公司
发明人袁章洁
代理机构北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人于淼
摘要
本发明公开了一种高亮度LED芯片及其制备方法,包括:取外延片,在P型半导体层上制作透明导电层,对透明导电层靠近边缘的区域行刻蚀,在透明导电层上制作绝缘钝化层,用光刻机对绝缘钝化层进行光刻,制作P型电极和P型焊盘,制作N型电极和N型焊盘,退火,获得LED芯片,由于光刻机的光源与掩膜版之间有至少一个滤波片,屏蔽了杂光,从而减小了P型电极和N型电极的宽度,提高了出光效率。

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