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发光二极管装置的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210042778.X
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2012-02-22
  • 申请人:
    日东电工株式会社
著录项信息
专利名称发光二极管装置的制造方法
申请号CN201210042778.X申请日期2012-02-22
法律状态撤回申报国家暂无
公开/公告日2012-09-19公开/公告号CN102683511A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人日东电工株式会社申请人地址
日本大阪府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人日东电工株式会社当前权利人日东电工株式会社
发明人伊藤久贵;井上泰史;三隅贞仁
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)代理人刘新宇;张会华
摘要
本发明提供一种发光二极管装置的制造方法,其包括:准备发光层叠体的工序,该发光层叠体具有光半导体层及形成在光半导体层之上的电极部;在光半导体层之上以覆盖电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层的工序;通过以暴露出电极部的上表面的方式局部除去密封树脂层,从而制造发光二极管元件的工序;使发光二极管元件和设有端子的底部基板相对配置且将电极部和端子电连接起来,从而以倒装法将发光二极管元件安装在上述底部基板上的工序。

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