一种高功率高亮度LED光源封装结构及其封装方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010591862.8
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/64;F21V23/02;F21V23/06;F21Y101/02
申请日期：
2010-12-16
申请人：
西安炬光科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种高功率高亮度LED光源封装结构及其封装方法
申请号	CN201010591862.8	申请日期	2010-12-16
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-08-03	公开/公告号	CN102142508A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4;;;F;2;1;V;2;3;/;0;2;;;F;2;1;V;2;3;/;0;6;;;F;2;1;Y;1;0;1;/;0;2查看分类表>
申请人	西安炬光科技有限公司	申请人地址	陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安炬光科技有限公司	当前权利人	西安炬光科技有限公司
发明人	刘兴胜;李小宁;彭晨晖;郑艳芳;王警卫
代理机构	西安西交通盛知识产权代理有限责任公司	代理人	罗永娟

摘要

本发明公开了一种高功率高亮度LED光源封装结构及其封装方法，该封装结构包括绝缘导热线路板、电极连接端口、电极连接块、热敏电阻、LED芯片。采用回流焊接或者贴片工艺将LED芯片的正极贴在覆金属引线的绝缘导热线路板上，将热敏电阻安装在靠近LED芯片的位置上；将电极连接端口安装在电极连接块上，然后与金属引线连焊接，制成高功率高亮度LED的光源。本发明兼具导热和绝缘的优点，且绝缘导热线路板与芯片的热膨胀系数比较匹配，散热性好的优点，主要应用于各种显示光源，背景光源，照明光源。

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