金属硅的凝固提纯方法及装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201180055381.8
IPC分类号：C01B33/037
申请日期：
2011-11-15
申请人：
新日铁住金高新材料株式会社

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著录项信息

专利名称	金属硅的凝固提纯方法及装置
申请号	CN201180055381.8	申请日期	2011-11-15
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2013-07-17	公开/公告号	CN103209924A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/037 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/02 硅（形成单晶或有一定结构的均匀多晶材料入C30B）〔5〕 C01B33/037 纯化（用区域熔融入C30B 13/00）〔5〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;3;7查看分类表>
申请人	新日铁住金高新材料株式会社	申请人地址	西班牙马德里变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	菲罗索拉太阳能研发公司	当前权利人	菲罗索拉太阳能研发公司
发明人	田中正博;岸田丰
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王诣然

摘要

本发明提供一种金属硅的凝固提纯方法及其装置，在将晶体的生产率维持在高的状态的同时，与以往相比能够更有效率且可靠地进行杂质元素的去除。一种金属硅的凝固提纯法，使处于凝固提纯装置的铸模内的金属硅的熔融液体进行一个方向凝固并去除金属硅中的杂质元素，其中，使用凝固界面中的熔融液体侧温度梯度（G）、凝固中途的熔融液体中杂质元素浓度（Cm）、凝固速度（V）表示的组份的过冷却指数｛VOGC=（V/G）×Cm｝相对于使用从金属硅中的硅-杂质元素的状态图读取的液相线的梯度（m）和杂质元素的扩散系数（D）表示的组份的过冷却的临界值｛0.59（D/m）｝，以维持1/10｛0.59（D/m）｝≤VOGC＜0.59（D/m）的关系的方式，进行熔融液体的加热和/或冷却。

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