一种低介电常数材料薄膜及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410465737.0
IPC分类号：C08G77/24;C08L83/08;C08L83/05;C08J3/28;C08J5/18
申请日期：
2014-09-12
申请人：
中国科学院上海高等研究院

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著录项信息

专利名称	一种低介电常数材料薄膜及其制备方法
申请号	CN201410465737.0	申请日期	2014-09-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-03-23	公开/公告号	CN105418927A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C08G77/24 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C08 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 C08G 用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物（发酵或使用酶的方法合成目标化合物或组合物或从外消旋混合物中分离旋光异构体入C12P）〔2〕 C08G77/00 在高分子主链中形成含硅键合，有或没有硫、氮、氧，或碳键合反应得到的高分子化合物〔2〕 C08G77/04 聚硅氧烷〔2〕 C08G77/22 含有与含碳、氢及氧以外原子的有机基团连接的硅〔2〕 C08G77/24 含卤素基团〔2〕	IPC分类号	C;0;8;G;7;7;/;2;4;;;C;0;8;L;8;3;/;0;8;;;C;0;8;L;8;3;/;0;5;;;C;0;8;J;3;/;2;8;;;C;0;8;J;5;/;1;8查看分类表>
申请人	中国科学院上海高等研究院	申请人地址	上海市浦东新区海科路99号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海高等研究院	当前权利人	中国科学院上海高等研究院
发明人	王万军;袁京;杜丽萍;黄祚刚;姜标
代理机构	上海硕力知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王法男

摘要

本发明公开了一种低介电常数材料薄膜及其制备方法。本发明以含氟萘乙基有机硅单体和烃基二氯硅烷为起始原料，以四甲基二乙烯基硅氧烷为封端剂，通过缩合反应制得含氟萘乙基乙烯基硅油；该含氟萘乙基乙烯基硅油和含氢硅油或者含氢硅氧烷混合，涂于硅片上形成一层薄膜，利用紫外光照射使所述薄膜发生发应，然后对薄膜进行退火处理，制得所述低介电常数材料薄膜。本发明中制得的低介电常数材料薄膜的介电常数可达2.0～2.5，因此可用作45nm以下的极大规模集成电路上的低介电常数材料。该低介电常数材料薄膜的制备方法简单，有利于工业化生产。

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