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半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200710008220.9
  • IPC分类号:H01L29/786;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362
  • 申请日期:
    2007-01-25
  • 申请人:
    爱普生映象元器件有限公司
著录项信息
专利名称半导体装置
申请号CN200710008220.9申请日期2007-01-25
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2007-08-01公开/公告号CN101009333
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;2查看分类表>
申请人爱普生映象元器件有限公司申请人地址
日本爱知县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社日本显示器西当前权利人株式会社日本显示器西
发明人小野木智英;瀬川泰生
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司代理人程伟
摘要
本发明提供一种半导体装置,其抑制因用于显示装置的薄膜晶体管的光漏电流所造成的显示品质的降低。本发明的半导体装置在基板10上形成有下部金属层11,且依序形成缓冲膜12、半导体层13、栅极绝缘膜14、及栅极配线15。在栅极配线15上形成有具备接触孔CH的层间绝缘膜16。在层间绝缘膜16上延伸有经由接触孔CH分别与半导体层13的源极13S及漏极13D连接的源极配线17S及漏极配线17D。在此,源极配线17S、漏极配线17D及下部金属层11从各接触孔CH侧延伸,且在半导体层13及栅极配线15的上方或下方,覆盖未超越栅极配线15的宽度方向的端P3的区域。

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