加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

光电子半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201680050613.3
  • IPC分类号:H01L33/48;H01L33/64
  • 申请日期:
    2016-08-22
  • 申请人:
    奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
著录项信息
专利名称光电子半导体器件及其制造方法
申请号CN201680050613.3申请日期2016-08-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-04-17公开/公告号CN107924974A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/48IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4查看分类表>
申请人奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司申请人地址
德国雷根斯堡 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司当前权利人奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人K.佩尔茨迈尔;A.卡斯普扎克-扎布洛卡;L.黑佩尔;C.莱雷尔
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人卢江;刘春元
摘要
说明一种光电子半导体器件(100),包括:半导体本体(1),其具有半导体层序列(2);载体(10),其具有塑料并且具有第一通孔接触(11)和第二通孔接触(12);p接触层(6)和n接触层(8、8A),它们至少局部地布置在载体(10)和半导体本体(1)之间;金属加固层(14),其至少局部地布置在n接触层(8、8A)和载体(10)之间,其中金属加固层(14)至少5μm厚;以及至少一个p接触引线(7),其布置在第一通孔接触(11)和p接触层(6)之间,其中p接触引线(7)至少5μm厚并且在横向方向上至少局部由加固层(14)包围。还说明一种用于制造这样的光电子半导体器件(100)的有利方法。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供