半导体装置及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110115889.8
IPC分类号：H01L23/049;H01L25/07;H01L23/49
申请日期：
2021-01-28
申请人：
英飞凌科技股份有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置及其制造方法
申请号	CN202110115889.8	申请日期	2021-01-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-03	公开/公告号	CN113206048A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/049 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/02 容器；封接（H01L 23/12，H01L 23/34，H01L 23/48，H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/04 按外形区分的〔2〕 H01L23/043 中空容器，并有用于半导体本体的引线以及作为安装架的导电基座〔5〕 H01L23/049 其他引线垂直于基座的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;0;4;9;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9查看分类表>
申请人	英飞凌科技股份有限公司	申请人地址	德国瑙伊比贝尔格市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英飞凌科技股份有限公司	当前权利人	英飞凌科技股份有限公司
发明人	F·绍尔兰德
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	刘瑜

摘要

本发明公开了一种半导体装置，其包括：包括有源区的可控半导体元件；以及被布置为在第一水平方向上彼此平行的多个键合线。有源区在第一水平方向上具有第一长度，并且在垂直于第一水平方向的第二水平方向上具有第一宽度。多个键合线中的每个通过第一数量的键合连接电耦合和机械耦合到可控半导体元件，其中，第一数量的键合连接中的每个被布置为在垂直于第一水平方向和第二水平方向的垂直方向上处于有源区上方。多个键合线中的每个的第一键合连接被布置为在第一水平方向上与有源区的第一边缘相距第一距离，并且多个键合线中的每个的第二键合连接被布置为在第一水平方向上与有源区的第二边缘相距第二距离，其中，第二边缘被布置为与第一边缘相对。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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