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阵列基板及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010273154.3
  • IPC分类号:H01L27/32;H01L27/12;G09F9/30
  • 申请日期:
    2020-04-09
  • 申请人:
    武汉华星光电半导体显示技术有限公司
著录项信息
专利名称阵列基板及其制备方法
申请号CN202010273154.3申请日期2020-04-09
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2020-07-28公开/公告号CN111463243A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/32IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;3;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;G;0;9;F;9;/;3;0查看分类表>
申请人武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉华星光电半导体显示技术有限公司当前权利人武汉华星光电半导体显示技术有限公司
发明人白思航
代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司代理人何辉
摘要
本发明提供一种阵列基板及其制备方法,所述阵列基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区,所述非显示区中具有弯折区,所述阵列基板还包括柔性基板、缓冲层、薄膜晶体管结构层、凹槽、过孔、金属走线以及平坦层,其中,部分金属走线填充于所述过孔中并延伸所述薄膜晶体管结构层远离所述缓冲层的一面,形成源漏极;部分金属走线覆于所述凹槽的槽壁并延伸所述薄膜晶体管结构层远离所述缓冲层的一面,形成源漏极走线。

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