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发光二极管封装结构

发明专利无效专利

申请号：
CN200510115216.3
IPC分类号：H01L33/00;H01L25/075;H01L23/488
申请日期：
2005-11-11
申请人：
南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	发光二极管封装结构
申请号	CN200510115216.3	申请日期	2005-11-11
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2007-05-16	公开/公告号	CN1964084
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;5;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8查看分类表>
申请人	南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南茂科技股份有限公司,百慕达南茂科技股份有限公司	当前权利人	南茂科技股份有限公司,百慕达南茂科技股份有限公司
发明人	王俊恒
代理机构	北京中原华和知识产权代理有限责任公司	代理人	寿宁;张华辉

摘要

一种发光二极管封装结构，其包括一发光二极管晶片与一软性承载器，其中发光二极管晶片具有多个电极。软性承载器则具有一软性基板与一线路层，其中软性基板具有一承载表面与对应的一背面，而线路层是配置于承载表面上。此外，发光二极管封装结构更包括多个凸块，而发光二极管晶片的电极是经由凸块与软性承载器的线路层电性连接。

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