由低成本稀土原料制备的稀土闪烁晶体及其低成本生长工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN201610115940.4
IPC分类号：C30B29/34;C30B15/36;C09K11/79
申请日期：
2016-03-01
申请人：
中国科学院长春应用化学研究所

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专利名称	由低成本稀土原料制备的稀土闪烁晶体及其低成本生长工艺
申请号	CN201610115940.4	申请日期	2016-03-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-05-04	公开/公告号	CN105543963A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/34 硅酸盐〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;4;;;C;3;0;B;1;5;/;3;6;;;C;0;9;K;1;1;/;7;9查看分类表>
申请人	中国科学院长春应用化学研究所	申请人地址	吉林省长春市人民大街5625号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院长春应用化学研究所	当前权利人	中国科学院长春应用化学研究所
发明人	薛冬峰;孙丛婷
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	赵青朵

摘要

本发明提供了低成本稀土闪烁晶体，由RE2O3、二氧化硅、铈的氧化物和镥的氧化物经过晶体生长后得到；所述RE2O3、铈的氧化物和镥的氧化物的质量之和与所述二氧化硅的质量的比值为(0.75～1.25)∶1；所述铈的氧化物的质量与所述RE2O3和镥的氧化物的质量之和的比值为(0.005～0.04)∶1；所述RE2O3和镥的氧化物的质量比为(0.005～1)∶1。本发明按照晶体生长一致熔融区内组成‑温度关系确定原料配比。本发明采用特定原料配比能够有效降低闪烁晶体生长过程中的液/固相变温度点，降低晶体生长能耗，贵金属损耗，快速生长工艺有利于缩短生长时间，晶体成品率高，具有明显的低成本优势。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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