多级半导体制冷装置

实用新型专利无效专利

申请号：
CN99203589.9
IPC分类号：--
申请日期：
1999-02-24
申请人：
刘万辉

基础信息

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	多级半导体制冷装置
申请号	CN99203589.9	申请日期	1999-02-24
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	刘万辉	申请人地址	重庆市杨家坪民主一村14幢2单元2楼2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	刘万辉	当前权利人	刘万辉
发明人	刘万辉
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种多级半导体制冷装置,包括有分别设置在冷藏室内、外的吸热交换器和放热交换器,吸热交换器通过制冷器与放热交换器相紧密接触,制冷器与控制电路连接,其特征在于:制冷器是由至少两个并列放置的多级热电堆构成,每个多级热电堆由多个热电堆相互叠放而组成。本实用新型具结构简单、制冷效率稳定、制造成本低和节省电能等优点,节省了感温元件和其它电器元件,可以很容易地扩展到三级或更多级的热电堆的应用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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