硅基高线性度低相移超宽带数字衰减器

发明专利有效专利

申请号：
CN201310391271.X
IPC分类号：H03H7/24
申请日期：
2013-08-31
申请人：
西安电子科技大学

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专利名称	硅基高线性度低相移超宽带数字衰减器
申请号	CN201310391271.X	申请日期	2013-08-31
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2013-12-04	公开/公告号	CN103427781A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03H7/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K 15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B） H03H7/00 仅以无源电气元件作为网络部件的多端对网络（接收机输入电路H04B 1/18；模拟通信电缆长度的网络入H04B 3/40）〔3〕 H03H7/24 与频率无关的衰减器	IPC分类号	H;0;3;H;7;/;2;4查看分类表>
申请人	西安电子科技大学	申请人地址	陕西省西安市太白南路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安电子科技大学	当前权利人	西安电子科技大学
发明人	庄奕琪;李振荣;张岩龙;靳刚;汤华莲;张丽;李聪;曾志斌
代理机构	陕西电子工业专利中心	代理人	田文英;王品华

摘要

本发明公开了一种硅基高线性度低相移超宽带数字衰减器，包括1dB、2dB、4dB、8dB、16dB五个衰减模块，采用带有沟道并联电阻结构和体悬浮结构的两种锗硅BiCMOS工艺的NMOS场效应晶体管作为控制开关，由五组互补数字信号独立控制五个衰减模块工作，利用低通网络进行相位补偿，通过电感进行相邻衰减模块间匹配，通过传输线匹配到50Ω的输入和输出阻抗，工作频率范围为1～25GHz，以1dB长度步进在的0～31dB的衰减范围内，可实现共32种状态低差损低相移的信号幅度衰减。本发明具有差损低、附加相移小、线性度高、生产成本低、芯片面积小的优点，可用于大幅度信号处理和单芯片集成。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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