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一种二硫化钼的基底转移方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201610178692.8
  • IPC分类号:C01G39/06
  • 申请日期:
    2016-03-25
  • 申请人:
    北京大学
著录项信息
专利名称一种二硫化钼的基底转移方法
申请号CN201610178692.8申请日期2016-03-25
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2017-10-03公开/公告号CN107226486A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G39/06IPC分类号C;0;1;G;3;9;/;0;6查看分类表>
申请人北京大学申请人地址
北京市海淀区颐和园路5号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京大学当前权利人北京大学
发明人张艳锋;马冬林;史建平
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司代理人关畅;王春霞
摘要
本发明公开了一种二硫化钼的基底转移方法。它包括如下步骤:1)将生长有二硫化钼的生长基底放在匀胶机上,在生长基底有二硫化钼的一面滴涂聚甲基丙烯酸甲酯溶液,启动匀胶机匀胶,使聚甲基丙烯酸甲酯溶液在二硫化钼上成膜,得到涂有聚甲基丙烯酸甲酯的二硫化钼的生长基底;2)将步骤1)中涂有聚甲基丙烯酸甲酯的二硫化钼的生长基底放入去离子水中超声,使涂有聚甲基丙烯酸甲酯的二硫化钼一面与生长基底脱离;3)使用目标衬底与步骤2)中涂有聚甲基丙烯酸甲酯的二硫化钼贴合;4)将步骤3)中二硫化钼浸入有机溶剂中除去聚甲基丙烯酸甲酯,得到目标衬底上的二硫化钼。本发明是一种快速、无需刻蚀生长基底的转移方法,生长基底可以循环使用并对环境友好,极大的缩短了基底转移的时间。

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