带屏蔽结构的尖锥阵列型场发射电子源及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811619109.8
IPC分类号：H01J3/02;H01J9/00
申请日期：
2018-12-28
申请人：
中国电子科技集团公司第十二研究所

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著录项信息

专利名称	带屏蔽结构的尖锥阵列型场发射电子源及其制作方法
申请号	CN201811619109.8	申请日期	2018-12-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-05-17	公开/公告号	CN109767961A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J3/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J3/00 通用于两种或两种以上基本类型的放电管或灯的电子光学或离子光学装置的零部件或离子阱的零部件 H01J3/02 电子枪	IPC分类号	H;0;1;J;3;/;0;2;;;H;0;1;J;9;/;0;0查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第十二研究所	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路13号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第十二研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第十二研究所
发明人	李兴辉;韩攀阳;谢云竹;李含雁;李栋;蔡军;冯进军
代理机构	北京正理专利代理有限公司	代理人	赵晓丹

摘要

本发明公开了一种带屏蔽结构的尖锥阵列型场发射电子源，其特征在于，包括从下到上依次设置的基底、发射尖锥、绝缘层、屏蔽层和栅极；所述发射尖锥至少部分暴露于所述绝缘层外，所述屏蔽层位于由所述发射尖锥、绝缘层和栅极构成的空腔中，以隔断所述发射尖锥和栅极。该场发射电子源带有防止沿络电弧的屏蔽结构，能有效防止传统场发射电子源的常见的沿络电弧失效的问题发生。本发明还公开了一种带屏蔽结构的尖锥阵列型场发射电子源的制作方法。

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