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一种利用严重塑性变形制备高强度高导电铜薄板的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710011723.1
  • IPC分类号:C22F1/08
  • 申请日期:
    2007-06-15
  • 申请人:
    中国科学院金属研究所
著录项信息
专利名称一种利用严重塑性变形制备高强度高导电铜薄板的方法
申请号CN200710011723.1申请日期2007-06-15
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-12-17公开/公告号CN101323937
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C22F1/08IPC分类号C;2;2;F;1;/;0;8查看分类表>
申请人中国科学院金属研究所申请人地址
辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院金属研究所当前权利人中国科学院金属研究所
发明人张勇;陶乃镕;卢柯
代理机构沈阳科苑专利商标代理有限公司代理人张志伟
摘要
本发明涉及高强高导电铜薄板的制备,特别是利用严重塑性变形技术制备超高强度和高导电铜薄板的一种方法。该方法分别利用低温动态高速变形和室温准静态低速变形两种技术。动态高速变形速率为102-104s-1,变形量为1.8-2.5(计算方法:),变形温度-196℃至-100℃;准静态低速变形速率为10-3-10-2s-1,变形量为10%-97%(计算方法:),变形温度为室温。采用本发明制备的铜薄板拉伸强度550-600MPa,电阻率17.8-18.1nΩ·m,均匀变形量达到5%,为超高强度高导电铜薄板,并具有一定均匀延伸率。本发明制备的高强高导电铜薄板对迅速发展的计算机产业和电子行业具有重要价值和极大的应用空间。

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