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一种超微细压电陶瓷阵列结构复合材料及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200910076528.6
  • IPC分类号:C08L63/00;C04B35/495;C04B35/622;C08J5/00
  • 申请日期:
    2009-01-06
  • 申请人:
    清华大学
著录项信息
专利名称一种超微细压电陶瓷阵列结构复合材料及其制备方法
申请号CN200910076528.6申请日期2009-01-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2009-06-24公开/公告号CN101463182
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C08L63/00IPC分类号C;0;8;L;6;3;/;0;0;;;C;0;4;B;3;5;/;4;9;5;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;8;J;5;/;0;0查看分类表>
申请人清华大学申请人地址
北京市-82信箱 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人清华大学当前权利人清华大学
发明人李敬锋;徐莹
代理机构北京众合诚成知识产权代理有限公司代理人朱琨
摘要
本发明公开了属于功能陶瓷材料及其制备技术领域一种超微细压电陶瓷阵列结构复合材料及其制备方法。制备工艺为:采用金属醇盐回流法制备溶胶前躯体,使用硅微加工技术制备硅模板,然后通过溶胶填充模板工艺以及后续的热解和退火处理过程制备长、宽为5~100微米、高为1~500微米、间距为10~200微米的压电陶瓷微柱阵列,最后将微柱阵列与聚合物复合,得到1-3型压电陶瓷/聚合物的复合材料。与传统的机械切割工艺相比,本发明可以制备较小尺寸、阵列周期性好的陶瓷微柱,最小柱宽可达7μm,适合于微机电系统(MEMS);与热压、激光切割等阵列制备工艺相比,本发明的设备条件简单,易于实现。

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