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一种低压高能量密度超级钽电容器介质膜的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410335901.6
  • IPC分类号:H01G11/84
  • 申请日期:
    2014-07-15
  • 申请人:
    中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司
著录项信息
专利名称一种低压高能量密度超级钽电容器介质膜的制备方法
申请号CN201410335901.6申请日期2014-07-15
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2014-10-29公开/公告号CN104124072A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01G11/84IPC分类号H;0;1;G;1;1;/;8;4查看分类表>
申请人中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司申请人地址
贵州省贵阳市乌当区新添大道北段232号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司当前权利人中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司
发明人鄢波;阳元江;张选红;王安玖;张勇;贾新虎
代理机构北京路浩知识产权代理有限公司代理人谷庆红
摘要
一种低压高能量密度超级钽电容器介质膜的制备方法,包括步骤:调整阳极设计、分阶段形成、热处理、补充形成。确保高比容规格钽粉颗粒的流动性,使成型烧结后得到的阳极钽芯具有良好的孔隙度与可浸润性;分阶段形成,使介质膜层持续稳定生长,提高了低压高能量密度超级钽电容器的使用寿命,且按此制备方法制备出来的电容器阳极钽块表面的介质膜强度高、致密度好、表面光滑。

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