多铁性Fe:BaTiO3薄膜材料及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010581659.2
IPC分类号：H01F10/00;C23C14/28;C23C14/06
申请日期：
2010-12-10
申请人：
河北师范大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	多铁性Fe:BaTiO3薄膜材料及其制备方法
申请号	CN201010581659.2	申请日期	2010-12-10
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-08-24	公开/公告号	CN102163485A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F10/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F10/00 磁性薄膜，如单畴结构的	IPC分类号	H;0;1;F;1;0;/;0;0;;;C;2;3;C;1;4;/;2;8;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6查看分类表>
申请人	河北师范大学	申请人地址	河北省石家庄市裕华东路113号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	河北师范大学	当前权利人	河北师范大学
发明人	周真真;侯登录;张倩;马丽;甄聪棉
代理机构	石家庄新世纪专利商标事务所有限公司	代理人	董金国

摘要

本发明提供了一种多铁性Fe:BaTiO3薄膜材料及其制备方法，先用脉冲激光沉积在低阻Si基底上生长一层BaTiO3薄膜，然后用多功能离子注入与离子束溅射系统往BaTiO3薄膜中注入不同剂量的Fe。Fe的注入剂量为3×1016cm-2、5×1016cm-2时，材料具有较强的本征室温铁磁性，其来源于Fe3+离子之间的交换相互作用，同时保持着良好的室温铁电性，更重要的是存在明显的耦合现象，并且随着注入剂量的增大，耦合增强；当Fe的注入剂量介于1×1016cm-2和8×1016cm-2之间时，Fe:BaTiO3薄膜是一种良好的多铁性材料，其在多态存储器、磁场传感器等方面应用前景广阔。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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