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一种PECVD设备成膜用的异质结太阳能电池托盘

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201420099928.5
IPC分类号：C23C16/458;H01L21/673;H01L31/18
申请日期：
2014-03-06
申请人：
上海理想万里晖薄膜设备有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种PECVD设备成膜用的异质结太阳能电池托盘
申请号	CN201420099928.5	申请日期	2014-03-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/458 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/458 在反应室中支承基体的方法〔7〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;5;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;3;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	上海理想万里晖薄膜设备有限公司	申请人地址	上海市浦东新区居里路1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海理想万里晖薄膜设备有限公司	当前权利人	上海理想万里晖薄膜设备有限公司
发明人	马哲国
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型提供了一种PECVD设备成膜用的异质结太阳能电池托盘，包括托盘盘体，所述托盘盘体上设置有用于承载硅片的卡槽，所述卡槽为两级台阶结构包括第一台阶和第二台阶，所述卡槽的材料的介电常数范围为8-19，该托盘能够解决晶体硅边缘成膜异常的问题，以及减少硅片背面的污染和表面损伤，提高电池光电转换效率。

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