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一种氧化钴/二硒化钴异质结构负载碳三氮四复合材料的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110813018.3
  • IPC分类号:C01G53/04;C01B19/04;C01B21/082;H05K9/00
  • 申请日期:
    2021-07-19
  • 申请人:
    黑龙江工程学院
著录项信息
专利名称一种氧化钴/二硒化钴异质结构负载碳三氮四复合材料的制备方法
申请号CN202110813018.3申请日期2021-07-19
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-09-28公开/公告号CN113443663A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G53/04IPC分类号C;0;1;G;5;3;/;0;4;;;C;0;1;B;1;9;/;0;4;;;C;0;1;B;2;1;/;0;8;2;;;H;0;5;K;9;/;0;0查看分类表>
申请人黑龙江工程学院申请人地址
黑龙江省哈尔滨市道外区红旗大街999号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人黑龙江工程学院当前权利人黑龙江工程学院
发明人张丰发;布和巴特尔;谭雪飞;董媛媛;王巍;张晓萌;史鹏;刘超;张晓晨;齐海群
代理机构哈尔滨龙科专利代理有限公司代理人王新雨
摘要
一种氧化钴/二硒化钴异质结构负载碳三氮四复合材料的制备方法,属于碳三氮四基复合材料制备领域。所述方法为:将Se粉分散在高沸点有机溶剂中,得到Se粉分散液;将钴源分散到低沸点有机溶剂中,再放入高沸点有机溶剂中,加热去除低沸点溶剂;将Se粉分散液加热得到反应液Ⅰ;g‑C3N4加入低沸点有机溶剂,再加入到高沸点有机溶剂中,将低沸点溶剂全部去除,得到反应液Ⅲ;将钴源溶液加热得到反应液Ⅳ;将反应液Ⅰ、Ⅲ、和Ⅳ溶液混合水热;加入庚烷后,进行抽滤,清洗,真空干燥。本发明制备的材料的介电性能适合做电磁波吸收材料,可以通过调整负载量和尺寸来调控其对电磁波的吸收性能。

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