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一种基于霍尔效应的磁场传感器和其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010385429.2
IPC分类号：G01R33/07;H01L43/06;H01L43/10;H01L43/04;H01L43/14
申请日期：
2020-05-09
申请人：
中国科学院物理研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种基于霍尔效应的磁场传感器和其制作方法
申请号	CN202010385429.2	申请日期	2020-05-09
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-09	公开/公告号	CN113625207A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R33/07 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R33/00 测量磁变量的装置或仪器 G01R33/02 测量磁场或磁通量的方向或大小（G01R 33/20优先）〔4〕 G01R33/06 采用电磁器件 G01R33/07 霍耳效应器件〔6〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;3;/;0;7;;;H;0;1;L;4;3;/;0;6;;;H;0;1;L;4;3;/;1;0;;;H;0;1;L;4;3;/;0;4;;;H;0;1;L;4;3;/;1;4查看分类表>
申请人	中国科学院物理研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村南三街8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院物理研究所	当前权利人	中国科学院物理研究所
发明人	史刚;杨天中;李永庆
代理机构	北京市正见永申律师事务所	代理人	黄小临;冯玉清

摘要

公开了一种基于霍尔效应的磁场传感器，其包括：衬底；由拓扑绝缘材料制成的至少一条霍尔条带，所述至少一条霍尔条带附着在所述衬底上；以及至少两个接触电极，分别位于所述至少一条霍尔条带的两端，所述接触电极通过导线与外接电路连接。该磁场传感器具有空间分辨率高、噪声水平低以及适应温度范围大等特点。还公开了相关的制作方法。

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