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原位垂直生长二氧化钛纳米片薄膜的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010606347.2
  • IPC分类号:C03C17/245
  • 申请日期:
    2010-12-24
  • 申请人:
    中国科学院兰州化学物理研究所
著录项信息
专利名称原位垂直生长二氧化钛纳米片薄膜的制备方法
申请号CN201010606347.2申请日期2010-12-24
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2012-07-11公开/公告号CN102557477A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C03C17/245IPC分类号C;0;3;C;1;7;/;2;4;5查看分类表>
申请人中国科学院兰州化学物理研究所申请人地址
甘肃省兰州市城关区天水中路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院兰州化学物理研究所当前权利人中国科学院兰州化学物理研究所
发明人冶银平;杜雯;李红轩;赵飞;吉利;权伟龙;陈建敏;周惠娣
代理机构兰州中科华西专利代理有限公司代理人方晓佳
摘要
本发明公开了一种原位垂直生长二氧化钛纳米片薄膜的制备方法。薄膜由垂直生长、分布均匀的纳米片组成,且薄膜与基底结合牢固;不经紫外光照即具有超亲水性,薄膜可用于污水催化降解处理,催化降解室内异味等场合。

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