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薄膜半导体装置的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810000259.0
IPC分类号：H01L21/28;H01L21/3105;H01L21/336
申请日期：
2008-01-30
申请人：
索尼株式会社

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	薄膜半导体装置的制造方法
申请号	CN200810000259.0	申请日期	2008-01-30
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-08-06	公开/公告号	CN101236900
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	索尼株式会社	申请人地址	日本爱知县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社日本显示器西	当前权利人	株式会社日本显示器西
发明人	国井正文
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	余刚;吴孟秋

摘要

本发明公开了一种薄膜半导体装置的制造方法，该方法包括：第一步骤，在基板上形成栅电极；第二步骤，以覆盖栅电极的方式，在基板上形成氮氧化硅的栅极绝缘膜；第三步骤，在栅极绝缘膜上形成半导体薄膜；以及第四步骤，在含氧的氧化性气氛中进行热处理，从而通过使氧与构成栅极绝缘膜的氮氧化硅膜中的缺氧部分相结合来进行改性。

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