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一种用于N型TOPCon电池背表面钝化的掺杂方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010266753.2
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2020-04-07
  • 申请人:
    国家电投集团西安太阳能电力有限公司;黄河水电西宁太阳能电力有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
著录项信息
专利名称一种用于N型TOPCon电池背表面钝化的掺杂方法
申请号CN202010266753.2申请日期2020-04-07
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-08-25公开/公告号CN111584679A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人国家电投集团西安太阳能电力有限公司;黄河水电西宁太阳能电力有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司申请人地址
陕西省西安市航天基地东长安街589号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人国家电投集团西安太阳能电力有限公司,黄河水电西宁太阳能电力有限公司,青海黄河上游水电开发有限责任公司,国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司当前权利人国家电投集团西安太阳能电力有限公司,黄河水电西宁太阳能电力有限公司,青海黄河上游水电开发有限责任公司,国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
发明人张天杰;刘大伟;倪玉凤;魏凯峰;杨露;宋志成
代理机构上海精晟知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
本发明的目的在于公开一种用于N型TOPCon电池背表面钝化的掺杂方法,与现有技术相比,通过两步掺杂方式,即先对背表面的基体进行一个极浅的掺杂,然后再沉积遂穿氧化层及多晶硅层,最后再对多晶硅层进行掺杂;采用离子注入及磷扩散组合的方式完成背表面的掺杂;有效地解决了现有掺杂技术中由于遂穿氧化层的阻挡作用,使得Si基体表面掺杂浓度总是低于多晶硅层的掺杂浓度,使得在Si基体与遂穿氧化层的界面处聚集的多数载流子相对较少的问题,实现本发明的目的。

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