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受控高度的碳纳米管阵列

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201880063435.7
  • IPC分类号:C01B32/162;B01J23/745;B01J23/75;B01J23/755;B01J21/16;B01J37/02
  • 申请日期:
    2018-07-31
  • 申请人:
    江苏天奈科技股份有限公司
著录项信息
专利名称受控高度的碳纳米管阵列
申请号CN201880063435.7申请日期2018-07-31
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-06-05公开/公告号CN111247094A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B32/162IPC分类号C;0;1;B;3;2;/;1;6;2;;;B;0;1;J;2;3;/;7;4;5;;;B;0;1;J;2;3;/;7;5;;;B;0;1;J;2;3;/;7;5;5;;;B;0;1;J;2;1;/;1;6;;;B;0;1;J;3;7;/;0;2查看分类表>
申请人江苏天奈科技股份有限公司申请人地址
江苏省镇江市镇江新区青龙山路,111号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江苏天奈科技股份有限公司当前权利人江苏天奈科技股份有限公司
发明人毛鸥;赵安琪;魏兆杰;张美杰;郑涛
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人李新红
摘要
本申请公开了包含催化剂的受控高度碳纳米管阵列和与其相关的合成方法。这样的纳米管阵列可以由浸渍在剥离的层状矿物质中以生长碳纳米管阵列的具有一定Fe∶Co∶Ni摩尔比的催化剂粒子制备,其中催化剂的Fe∶Co∶Ni摩尔比用于控制阵列的高度。

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