一种制备垂直有序铁电纳米杯阵列的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510791183.8
IPC分类号：C25D11/08;C25D11/10;C25D11/12;C23C18/12;B82Y40/00
申请日期：
2015-10-30
申请人：
华南师范大学

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著录项信息

专利名称	一种制备垂直有序铁电纳米杯阵列的方法
申请号	CN201510791183.8	申请日期	2015-10-30
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2016-03-23	公开/公告号	CN105420784A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25D11/08 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25D 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸（印刷电路的金属沉积法制造入H05K 3/18）；工件的电解法接合；所用的装置（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2，6〕 C25D11/00 表面反应，即形成转化层的电解覆层〔2〕 C25D11/02 阳极氧化〔2〕 C25D11/04 铝或以其为基之合金的〔2〕 C25D11/06 以所用电解液为特征的〔2〕 C25D11/08 含无机酸的〔2〕	IPC分类号	C;2;5;D;1;1;/;0;8;;;C;2;5;D;1;1;/;1;0;;;C;2;5;D;1;1;/;1;2;;;C;2;3;C;1;8;/;1;2;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	华南师范大学	申请人地址	广东省广州市天河区中山大道55号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南师范大学	当前权利人	华南师范大学
发明人	张璋;张晓燕;黄康荣
代理机构	北京卓岚智财知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	任漱晨

摘要

本发明实施例提供一种制备垂直有序铁电纳米杯阵列的方法，所述制备垂直有序铁电纳米杯阵列的方法包括：选取基底；制备阳极氧化铝模板AAO；进行AAO的扩孔以及转移；进行锆钛酸铅PZT溶胶的配置；浸渍PZT溶胶凝胶；将样品置于离子刻蚀机中进行刻蚀；去除残留的AAO模板得到垂直有序铁电纳米杯阵列。该制备方法制成PZT纳米杯阵列能够与基底进行垂直结合，具有可控的尺寸，高密度，好的有序性，而且有着好的铁电性，还具有制作成本低、人工操作安全等特点。

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