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一种SiO@Mg/C复合材料及其制备方法和应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110839970.0
  • IPC分类号:H01M4/62;H01M4/48;H01M10/0525
  • 申请日期:
    2021-07-23
  • 申请人:
    湖南金硅科技有限公司
著录项信息
专利名称一种SiO@Mg/C复合材料及其制备方法和应用
申请号CN202110839970.0申请日期2021-07-23
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-16公开/公告号CN113659141A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M4/62IPC分类号H;0;1;M;4;/;6;2;;;H;0;1;M;4;/;4;8;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;5查看分类表>
申请人湖南金硅科技有限公司申请人地址
湖南省益阳市益阳高新开发区东部产业园孵化楼25层2503号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湖南金硅科技有限公司当前权利人湖南金硅科技有限公司
发明人易旭;廖寄乔
代理机构长沙市融智专利事务所(普通合伙)代理人张伟
摘要
本发明公开了一种SiO@Mg/C复合材料及其制备方法和应用。将含有多元芳基羧酸与镁盐的混合溶液的pH调节至酸性后,转入高压反应釜内,进行溶剂热反应,得到Mg‑MOF金属有机框架材料;将Mg‑MOF金属有机框架材料与SiO通过球磨混合,得到Mg‑MOF/SiO混合料;将Mg‑MOF/SiO混合料置于保护气氛下,进行煅烧处理,即得SiO@Mg/C复合材料。该SiO@Mg/C复合材料可有效抑制SiO体积膨胀,减少锂离子的消耗和锂枝晶的生成,从而有效提高锂离子电池的首次库伦效率和循环性能。

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