一种低温制备氧氮化铝透明陶瓷的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010049105.8
IPC分类号：C04B35/622;C04B35/58
申请日期：
2010-06-28
申请人：
中国科学院上海硅酸盐研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种低温制备氧氮化铝透明陶瓷的方法
申请号	CN201010049105.8	申请日期	2010-06-28
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/622 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕 C04B35/622 形成工艺；准备制造陶瓷产品的无机化合物的加工粉末〔6〕	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;5;8查看分类表>
申请人	中国科学院上海硅酸盐研究所	申请人地址	上海市定西路1295号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所	当前权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人	袁贤阳;张芳;刘学建;李军;王士维
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种低温制备氧氮化铝透明陶瓷的方法。步骤如下：(1)制备一种含有由Y2O3或其它稀土氧化物和SiO2组成的烧结助剂的氧氮化铝粉体；(2)将得到的粉体过筛、压片成型并冷等静压；(3)将制备的素坯放入碳管炉中并抽真空后充入高纯氮气。将炉温按5～25℃/min的速率升温至1750～1900℃，并保温4～48小时。本发明制备温度低，很好地降低了电力和炉子的损耗，相应地在很大程度上降低了氧氮化铝透明陶瓷的制备成本，制备出氧氮化铝透明陶瓷透过率在45％左右。

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