半导体存储装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200710088613.5
IPC分类号：G11C17/18G11C17/10
申请日期：
2007-03-16
申请人：
松下电器产业株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体存储装置
申请号	CN200710088613.5	申请日期	2007-03-16
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2007-09-19	公开/公告号	CN101038791
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C17/18 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C17/00 只可一次编程的只读存储器；半永久存储器，例如，手动可替换信息卡片的（可擦的可编程序只读存储器入G11C 16/00；编码；译码或代码转换一般入H03M）〔2，5〕 G11C17/14 通过有选择地建立、断开或修改能永久变更耦合元件状态的连接链路确定其存储内容的，例如，PROM〔5〕 G11C17/18 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕	IPC分类号	G11C17/18;G11C17/10查看分类表>
申请人	松下电器产业株式会社	申请人地址	日本*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	松下电器产业株式会社	当前权利人	松下电器产业株式会社
发明人	仓田胜一;林光昭
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	浦柏明;刘宗杰

摘要

本发明涉及一种半导体存储装置，在现有的半导体存储装置中使用空位线构成的复制电路在将空位线充电时，因非导通漏泄电流而不能充电到所希望的电位。其结果是，由于向空位线充电的时间或放电的时间也与所希望的时间不同，故不能进行最佳的动作定时的设定。为解决该问题，本发明提供一种半导体存储装置，通过在虚拟存储元件阵列中在相同定时用与空位线充电电路相同结构的充电电路将虚拟存储元件的源极线充电，由此抑制非导通漏泄，从而生成合适的定时。

一种可延展型模块化组合框架

发明授权

半导体存储装置

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