一种大面积石墨烯透明导电膜的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410138469.1
IPC分类号：H01B13/00
申请日期：
2014-04-08
申请人：
国家纳米科学中心

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种大面积石墨烯透明导电膜的制备方法
申请号	CN201410138469.1	申请日期	2014-04-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-07-02	公开/公告号	CN103903818A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B13/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B13/00 制造导体或电缆制造的专用设备或方法	IPC分类号	H;0;1;B;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人	国家纳米科学中心	申请人地址	北京市海淀区中关村北一条11号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国家纳米科学中心	当前权利人	国家纳米科学中心
发明人	智林杰;宁静
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	巩克栋;侯桂丽

摘要

本发明公开了一种大面积石墨烯透明导电膜的制备方法，属于石墨烯制备及其应用技术领域。本发明采用多种非刻蚀的物理方法对金属基底上的石墨烯进行剥离，通过超声形成分散液，并加入高电导率的导电高分子进行稳定化处理，得到稳定的分散液。将所得到的分散液用线棒涂膜、喷涂或刮涂等成方式在透明基底上成膜，即可得到厚度可控的石墨烯透明导电膜。该方法可以实现化学气相沉积过程中金属基底的循环利用，无需后续转移步骤，经济、简便，并且将化学气相沉积法制备的高质量石墨烯与连续化液相制膜的工艺结合起来，能够大量制备高质量的石墨烯基透明导电膜。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供