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一种具有超低阈值电压的双向选通器及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110464306.2
  • IPC分类号:H01L45/00
  • 申请日期:
    2021-04-28
  • 申请人:
    大连理工大学
著录项信息
专利名称一种具有超低阈值电压的双向选通器及其制备方法
申请号CN202110464306.2申请日期2021-04-28
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-06公开/公告号CN113224235A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人大连理工大学申请人地址
辽宁省大连市甘井子区凌工路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人大连理工大学当前权利人大连理工大学
发明人唐灵芝;王晨;黄阳;杨一鸣;边继明
代理机构大连理工大学专利中心代理人李晓亮;潘迅
摘要
一种具有超低阈值电压的双向选通器及其制备方法,双向选通器从下到上依次是底电极、阻变层、顶电极,底电极为导电玻璃FTO,即掺氟的SnO2薄膜;阻变层材料为(CsxFAyMA1‑x‑y)Pb(IzBr1‑z)3,阻变层材料通过低温溶液旋涂法制得;顶电极为Ag。步骤:首先,在FTO导电玻璃衬底的导电面上滴加(CsxFAyMA1‑x‑y)Pb(IzBr1‑z)3溶液,并涂抹均匀后进行旋涂,在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯使钙钛矿快速结晶;其次,在90~110℃下退火处理20~40分钟,在导电面上得到卤素钙钛矿薄膜;最后,通过真空热蒸发法在钙钛矿薄膜上沉积顶电极。本发明不需要高温工艺,采用低温溶液旋涂工艺,一步成膜,对设备要求简单,成本比较低,可用于阻变阵列集成;双向选通器可以实现双向超低阈值电压(小于0.2V),选通性能开关比大于104,可实现对于RRAM器件开关电压更广的匹配范围与选通能力。

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