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具有沟槽式栅极的半导体装置及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610008851.6
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/78
  • 申请日期:
    2006-02-22
  • 申请人:
    南亚科技股份有限公司
著录项信息
专利名称具有沟槽式栅极的半导体装置及其制造方法
申请号CN200610008851.6申请日期2006-02-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2007-08-29公开/公告号CN101026098
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人南亚科技股份有限公司申请人地址
中国台湾桃园县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南亚科技股份有限公司当前权利人南亚科技股份有限公司
发明人林瑄智;程谦礼;李中元;林正平;李培瑛
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陶凤波;侯宇
摘要
本发明提供一种具有沟槽式栅极的半导体装置的制造方法,首先,提供一半导体基底,其表面具有一沟槽蚀刻掩膜,其次,利用该沟槽蚀刻掩膜为遮蔽物,并蚀刻该半导体基底,以形成一沟槽,然后,经由该沟槽掺入掺杂剂于该半导体基底以于该沟槽的侧壁部分形成一掺杂区域。蚀刻位于该沟槽底部的该半导体基底,以在该沟槽的底部形成一延伸部,然后,在该沟槽及该延伸部形成一栅极绝缘层,并且,在该沟槽及该延伸部之中形成一沟槽式栅极。

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