一种短温区垂直移动炉以及利用其生长CdTe晶体的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201611156546.1
IPC分类号：C30B29/48;C30B11/00
申请日期：
2016-12-14
申请人：
中国科学院宁波材料技术与工程研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种短温区垂直移动炉以及利用其生长CdTe晶体的方法
申请号	CN201611156546.1	申请日期	2016-12-14
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-05-31	公开/公告号	CN106757369A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/48 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/46 含硫、硒或碲的化合物〔3〕 C30B29/48 AⅡBⅥ化合物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;4;8;;;C;3;0;B;1;1;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	申请人地址	浙江省宁波市镇海区庄市大道519号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	当前权利人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所
发明人	胡皓阳;金敏;徐静涛;刘柱;蒋俊;江浩川
代理机构	北京鸿元知识产权代理有限公司	代理人	单英

摘要

本发明提供了一种短温区垂直移动炉。该加热炉仅采用铁铬铝电热丝与热电偶一套控制系统，因此炉体结构简单、造价低廉；而且，加热区的垂直高度易于控制，形成短温区加热炉；并且，由于炉体上下开口，在空气的对流作用下，加热区在垂直方向的温度分布呈中间向上下两侧逐渐降低的趋势，有利于减小熔区长度，增加原料区熔提纯效果，降低晶体内部杂质含量。另外，该加热炉支撑石英坩埚的支座选用碳化硅材料，利用碳化硅的高热导率极大促进了晶体生长界面结晶潜热的释放，从而获得有利于单晶生长的微凸固液界面。利用该加热炉生长CdTe晶体有利于消除Te沉淀、夹杂和孪晶等缺陷，提高了CdTe单晶利用率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供