III族氮化物外延基板以及使用该基板的深紫外发光元件

发明专利有效专利

申请号：
CN201310011761.2
IPC分类号：H01L33/32;H01L33/06
申请日期：
2013-01-11
申请人：
同和电子科技有限公司

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著录项信息

专利名称	III族氮化物外延基板以及使用该基板的深紫外发光元件
申请号	CN201310011761.2	申请日期	2013-01-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-07-17	公开/公告号	CN103208572A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/26 发光区的材料〔2010.01〕 H01L33/30 只包括周期体系中的III族和V族的元素〔2010.01〕 H01L33/32 含氮〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6查看分类表>
申请人	同和电子科技有限公司	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	同和电子科技有限公司	当前权利人	同和电子科技有限公司
发明人	大鹿嘉和
代理机构	北京林达刘知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘新宇;李茂家

摘要

本发明提供能够得到提高了发光功率输出的深紫外发光元件的III族氮化物外延基板以及提高了发光功率输出的深紫外发光元件。本发明的III族氮化物外延基板(10)依次具有基板(12)、AlN缓冲层(14)、第一超晶格积层体(16)、第二超晶格积层体(18)和III族氮化物积层体(20)。III族氮化物积层体(20)含有由AlαGa1-αN(0.03≤α)形成的活性层(24)。第一超晶格积层体(16)交替含有AlaGa1-aN层(16A)和AlbGa1-bN(0.9＜b≤1)层(16B)并且满足α＜a和a＜b的条件。第二超晶格积层体(18)重复含有AlxGa1-xN层(18A)、AlyGa1-yN层(18B)和AlzGa1-zN(0.9＜z≤1)层(18C)并且满足α＜x和x＜y＜z的条件。

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