用于硅结晶的坩埚

发明专利无效专利

申请号：
CN200580013446.7
IPC分类号：C30B15/10
申请日期：
2005-04-26
申请人：
维苏维尤斯·克鲁斯布公司

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专利名称	用于硅结晶的坩埚
申请号	CN200580013446.7	申请日期	2005-04-26
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-04-11	公开/公告号	CN1946881
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/10 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B15/10 承载熔融液的坩埚或容器〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;1;0查看分类表>
申请人	维苏维尤斯·克鲁斯布公司	申请人地址	美国伊利诺伊州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	维苏威美国公司	当前权利人	维苏威美国公司
发明人	G·兰库勒
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	蔡胜有

摘要

本发明涉及用于硅结晶的坩埚，并涉及处理熔融材料中所用坩埚的脱离涂层的制备和应用，该熔融材料在坩埚中凝固然后以晶锭形式被移出，且更特别地涉及多晶硅凝固中所用坩埚的脱离涂层。本发明的目的是在最终用户设备中提供不要求制备极厚涂层的坩埚，该坩埚的生产更快捷且更廉价并且具有更强的涂层，该涂层具有提高的壁附着性。目前已发现，使用包含如下结构的坩埚可以解决这些问题：a)包括限定了内部空间的底表面和侧壁的基本体；b)在朝向内部空间的侧壁表面的包含50-100重量％氧化硅的中间层；和c)中间层之上的包含50-100重量％氮化硅、至多50重量％二氧化硅和至多20重量％硅的表面层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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