加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

具有氮化铝成核层的基板及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010413464.0
  • IPC分类号:H01L29/20;H01L29/205;H01L21/02
  • 申请日期:
    2020-05-15
  • 申请人:
    环球晶圆股份有限公司
著录项信息
专利名称具有氮化铝成核层的基板及其制造方法
申请号CN202010413464.0申请日期2020-05-15
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-12-22公开/公告号CN112117324A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/20IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;2;0;;;H;0;1;L;2;9;/;2;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人环球晶圆股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹科学工业园区新竹市工业东二路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人环球晶圆股份有限公司当前权利人环球晶圆股份有限公司
发明人谢伟杰;黄彦纶;刘嘉哲;李依晴
代理机构北京伟思知识产权代理事务所(普通合伙)代理人聂宁乐;付艳红
摘要
一种具有氮化铝成核层的基板包括一硅基材及一氮化铝成核层;所述氮化铝成核层系设置于所述硅基材上;其中,所述氮化铝成核层的厚度为20nm至200nm;所述氮化铝成核层的表面粗糙度系小于或等于0.4nm;所述氮化铝成核层的X光衍射摇摆曲线的波峰的半高宽(FWHM)系小于或等于4000角秒;所述氮化铝成核层中无滑移线。其中,硅基材为含硅的基材,且其材质例如可为碳化硅(SiC)或硅(Si)。一种具有氮化铝成核层的基板的制造方法亦在此揭露。由于基板的氮化铝成核层无滑移线产生,因此后续形成的磊晶层可具有较好的质量。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供