一种双端SRAM单元

发明专利有效专利

申请号：
CN201010187381.0
IPC分类号：G11C11/413
申请日期：
2010-05-28
申请人：
上海宏力半导体制造有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种双端SRAM单元
申请号	CN201010187381.0	申请日期	2010-05-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-09-22	公开/公告号	CN101840728A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/413 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/41 用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特（Schmitt）触发器〔5〕 G11C11/413 辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;1;3查看分类表>
申请人	上海宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	胡剑
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郑玮

摘要

本发明公开了一种双端SRAM单元，该SRAM单元包括CMOS反相器、与所述CMOS反相器相连的第一PMOS晶体管、与所述第一PMOS晶体管相连的第一电阻、与所述第一PMOS晶体管相连的第一传输晶体管及与所述CMOS反相器相连的第二传输晶体管，所述第一传输晶体管为写入操作传输晶体管，所述第二传输晶体管为读取操作传输晶体管，本发明提供的双端SRAM单元仅包含5个晶体管，因而大大节约了双端SRAM单元的面积，并且所述第一电阻的阻值比导通状态下的第一PMOS晶体管的阻值和第一传输晶体管的阻值大几个数量级，比关闭状态下的第一PMOS晶体管的阻值和第一传输晶体管的阻值小几个数量级，从而使得写“0”和写“1”操作都能顺利进行。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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