一种嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202110909388.7
IPC分类号：H01H85/38;H01H85/055
申请日期：
2021-08-09
申请人：
西安中熔电气股份有限公司

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专利名称	一种嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置
申请号	CN202110909388.7	申请日期	2021-08-09
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-22	公开/公告号	CN113539763A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01H85/38 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01H 电开关；继电器；选择器；紧急保护装置（接触电缆入H01B7/10；电解式自断续器入H01G9/18；紧急保护电路装置入H02H；无触点电子开关入H03K17/00） H01H85/00 电流通过其可熔材料的部分，当此电流过大时，由于可熔材料的熔断而使电流中断的保护装置（由可熔材料的熔化而动作的开关入H01H 37/76；在配电盘上熔断器的配置或安装入H02B 1/18） H01H85/02 零部件 H01H85/38 灭弧或消弧装置（用粉状填充料的入H01H 85/18；对可熔件施加机械张力的入H01H 85/36）	IPC分类号	H;0;1;H;8;5;/;3;8;;;H;0;1;H;8;5;/;0;5;5查看分类表>
申请人	西安中熔电气股份有限公司	申请人地址	陕西省西安市雁塔区高新区锦业路69号创业研发园A区12号现代企业中心东区3-10303室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安中熔电气股份有限公司	当前权利人	西安中熔电气股份有限公司
发明人	戈西斌;段少波;王欣
代理机构	西安乾方知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	胡思棉

摘要

一种嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置，包括壳体、激励源、冲击装置、导体、与所述导体并联的熔体，在导体预断口处下方的熔体预断口处设置有嵌套保护装置，所述熔体预断口处的嵌套保护装置上设置有供导体断开部分落入的容置腔；所述容置腔与所述导体断开部分形状相匹配；在所述冲击装置驱动下，所述导体断开部分可推动所述嵌套保护装置断开熔体。本发明的激励保护装置，通过设置嵌套保护装置，可阻止电弧在导体断口处复燃，同时提高灭弧能力。

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