具降低粗糙度之电阻性存储元件

发明专利无效专利

申请号：
CN03802305.9
IPC分类号：--
申请日期：
2003-01-14
申请人：
因芬尼昂技术股份公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具降低粗糙度之电阻性存储元件
申请号	CN03802305.9	申请日期	2003-01-14
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2005-08-10	公开/公告号	CN1653550
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	因芬尼昂技术股份公司	申请人地址	德国慕尼黑变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	因芬尼昂技术股份公司	当前权利人	因芬尼昂技术股份公司
发明人	W·拉伯格
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	程天正;张志醒

摘要

一种电阻性存储元件(144)、磁性随机存取存储器(MRAM)装置及其制造方法，其中薄氧化物层(132)位于该存储元件(144)的第一金属层(136)内。该薄氧化物层(132)包括氧单层。后续形成层(134/118/116)的粗糙度被减少，及该电阻性存储元件(144)的磁能力由使用在该第一金属层(136)内的薄氧化物层(132)加强。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供