一种微气泡发生器的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410017400.3
IPC分类号：B81B7/02;B81C1/00
申请日期：
2014-01-15
申请人：
华中科技大学

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著录项信息

专利名称	一种微气泡发生器的制备方法
申请号	CN201410017400.3	申请日期	2014-01-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-06-04	公开/公告号	CN103832963A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/02 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕 B81B7/02 包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置，例如微电子—机械系统（MEMS）（B81B7/04优先）〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;7;/;0;2;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	华中科技大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华中科技大学	当前权利人	华中科技大学
发明人	周文利;邓武竹
代理机构	华中科技大学专利中心	代理人	朱仁玲

摘要

本发明公开了一种微气泡发生器及其制备方法。微气泡发生器包括衬底、两个双层石墨烯电极和碳纳米管；两个双层石墨烯电极位于衬底上，电极间距为1～8μm，碳纳米管连接两个双层石墨烯电极，用作加热组件。制备方法包括如下步骤：在生长有双层石墨烯的金属箔表面旋涂PMMA；去除金属箔，将PMMA保护的双层石墨烯转移至衬底上，热处理使双层石墨烯与衬底紧密结合；除去PMMA；氧等离子体反应刻蚀双层石墨烯，得到两个双层石墨烯电极以及连接两个电极的双层石墨烯纳米带；在真空条件下进行退火处理，使双层石墨烯纳米带边缘闭合形成碳纳米管，完成微气泡发生器的制备。本发明降低了微气泡发生器的功耗，有效延长了微气泡发生器的寿命，且器件结构简单，设计灵活。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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