一种MOSFET器件LDD结构的定性分析方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110233596.6
IPC分类号：G01N23/22;G01N1/30
申请日期：
2011-08-16
申请人：
上海华碧检测技术有限公司

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著录项信息

专利名称	一种MOSFET器件LDD结构的定性分析方法
申请号	CN201110233596.6	申请日期	2011-08-16
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-04-18	公开/公告号	CN102419337A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N23/22 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N23/206 （转入G01N 23/205） G01N23/22 通过测量来自材料的二次发射〔1，2，2006.01，2018.01〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;3;/;2;2;;;G;0;1;N;1;/;3;0查看分类表>
申请人	上海华碧检测技术有限公司	申请人地址	上海市杨浦区国定东路300号3号楼105室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华碧检测技术有限公司	当前权利人	上海华碧检测技术有限公司
发明人	张涛
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提供了一种MOSFET器件LDD结构的定性分析方法，包括以下步骤：A、按体积比HF∶HNO3∶冰醋酸＝1∶2∶10比例进行MOSFET器件的源极、漏极、LDD等结构的染色液配制；B、将待测MOSFET器件浸泡入染色液中5秒钟后取出；C、使用场发射扫描电子显微镜进行截面观察MOSFET器件的源极、漏极、LDD等掺杂结构区，拍下扫描电子显微镜扫描的照片，并测量相关掺杂结构的结深；D、作是否采用了LDD结构的定性判断。本发明通过使用该种染色液配方，使得对同种MOSFET器件的源、漏、LDD等掺杂结构结深确认，变得简单、快速、经济，并快速作出对MOSFET器件是否采用了LDD结构的定性判断。

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