- C化学;冶金
- C2冶金
- C30晶体生长〔3〕
- C30B单晶生长(用超高压的,例如用于金刚石形成的入B01J 3/06);共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼(金属或合金的区熔精炼入C22B);具有一定结构的均匀多晶材料的制备(金属铸造,按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D;塑料的加工入B29;改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F);单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理(用于半导体器件或元件生产的入H01L);其所用的装置〔3〕
- C30B31/00单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺;其所用装置〔3,5〕
- C30B31/06同气态扩散材料接触的(C30B 31/18优先)〔3〕
- C30B31/16气体供给或排出的装置;气流的变换〔3〕