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一种大功率LED陶瓷散热基板

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200820232888.1
IPC分类号：H01L33/00;H01L23/36;H01L23/498
申请日期：
2008-12-23
申请人：
淄博市临淄银河高技术开发有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种大功率LED陶瓷散热基板
申请号	CN200820232888.1	申请日期	2008-12-23
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8查看分类表>
申请人	淄博市临淄银河高技术开发有限公司	申请人地址	山东省淄博市临淄区临淄大道432号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	淄博市临淄银河高技术开发有限公司	当前权利人	淄博市临淄银河高技术开发有限公司
发明人	李磊;孙桂铖
代理机构	淄博科信专利商标代理有限公司	代理人	耿霞

摘要

本实用新型一种大功率LED陶瓷散热基板，包括陶瓷基板，其特征在于在陶瓷基板的一面或两面烧结有厚膜状铜导体层，厚膜状铜导体层与陶瓷基板之间具有铜铝尖晶石共熔界面。本实用新型制造出的陶瓷基板具有高导电、高导热、高附着力、能够进行二次图形精细加工等优异性能，应用到大功率LED封装中可以明显提高工作寿命和可靠性。

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