一种二维层状钙钛矿铁电多功能薄膜及其制备工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN202010124203.7
IPC分类号：H01L31/032;H01L21/02
申请日期：
2020-02-27
申请人：
北京科技大学

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专利名称	一种二维层状钙钛矿铁电多功能薄膜及其制备工艺
申请号	CN202010124203.7	申请日期	2020-02-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-07-14	公开/公告号	CN111416006A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/032 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/0248 以其半导体本体为特征的〔5〕 H01L31/0256 以材料为特征的〔5〕 H01L31/0264 无机材料〔5〕 H01L31/032 除掺杂或其他杂质外，只包含未列入H01L 31/0272至H01L 31/0312各组的化合物〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	北京科技大学	申请人地址	北京市海淀区学院路30号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京科技大学	当前权利人	北京科技大学
发明人	张林兴;丁佳麒;杨倩倩;田建军
代理机构	北京金智普华知识产权代理有限公司	代理人	皋吉甫

摘要

本发明属于凝聚态物理、功能薄膜和纳米科技领域，涉及到一种二维层状钙钛矿铁电多功能薄膜及其制备工艺。所述二维层状钙钛矿铁电多功能薄膜的分子式为：yBi2Ox‑BiMeO3，其中，2≤x≤4；1≤y≤4；Me为过渡族金属。该类钙钛矿结构Bi2Ox和钙钛矿结构BiMeO3的晶体结构相似且晶格常数匹配，具有稳定的类四方相超胞结构。制备工艺为：先调制Bi与Me的比值为1‑6的摩尔浓度为0.1‑0.4M的前驱体溶液；经过旋涂、干燥及热解，退火，得到二维层状钙钛矿铁电多功能薄膜。本发明采用晶体结构设计和溶胶‑凝胶合成法研制新结构薄膜，前驱液成分精确可控且合成条件简易，最终获得性能优异的高质量铁电薄膜。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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