氮化镓半导体器件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710488431.0
IPC分类号：H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/47;H01L21/335;H01L29/778
申请日期：
2017-06-23
申请人：
深圳市晶相技术有限公司

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著录项信息

专利名称	氮化镓半导体器件及其制备方法
申请号	CN201710488431.0	申请日期	2017-06-23
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2017-10-24	公开/公告号	CN107293578A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/06 按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;0;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;4;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8查看分类表>
申请人	深圳市晶相技术有限公司	申请人地址	广东省深圳市坪山区坪山街道六和社区招商花园城17栋S1704 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市晶相技术有限公司,苏州辰华半导体技术有限公司	当前权利人	深圳市晶相技术有限公司,苏州辰华半导体技术有限公司
发明人	刘美华;林信南;刘岩军
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	王华英

摘要

本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的氮化硅和等离子体增强正硅酸乙脂复合介质层；设置于所述复合介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述复合介质层与所述氮化镓外延层连接；设置于所述源极、漏极和栅极以及所述复合介质层上的绝缘层，以及设置于所述绝缘层上的场板金属层。本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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