具有独立电极结构的电致发光器件及制备方法和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202110488439.3
IPC分类号：H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;G01B7/32;G01L1/22
申请日期：
2021-05-06
申请人：
西安交通大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有独立电极结构的电致发光器件及制备方法和应用
申请号	CN202110488439.3	申请日期	2021-05-06
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-17	公开/公告号	CN113270555A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6;;;G;0;1;B;7;/;3;2;;;G;0;1;L;1;/;2;2查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	陕西省西安市咸宁西路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安交通大学	当前权利人	西安交通大学
发明人	阙文修;刘丹;王刚锋;国玉晓;梁轩铭
代理机构	西安众和至成知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	强宏超

摘要

本发明公开了一种具有独立电极结构的电致发光器件及制备方法和应用，钙钛矿电致发光器件从下至上依次包括透明导电玻璃衬底、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、压敏封装层和分离设置的金属电极，本发明中压敏封装层具有压敏效应，当表面粗糙的金属电极接触受压区域受到外力作用时，电阻值表现出明显的降低；发光层采用钙钛矿薄膜或钙钛矿量子点材料，对金属电极接触面积的测量具有极高的精确性，压敏封装层可隔绝环境中的水氧避免其对器件性能的侵蚀，增加器件的工作寿命；有效解决了金属粗糙表面积的测量难题，并实现纳米级的分辨率，提升钙钛矿LED的稳定性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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